货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | STripFET™ |
包装: | 卷带(TR) |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 160A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 2.7毫欧 @ 80A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 175 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±15V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 5500 pF @ 15 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 210W(Tc) |
工作温度: | 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 10-PowerSO |
封装/外壳: | PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
标准包装: | 600 |
STV160NF02LAT4
型号:STV160NF02LAT4
品牌:ST意法半导体
描述:MOSFET N-CH 20V 160A 10POWERSO
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00