APTMC120HR11CT3AG

制造商编号:
APTMC120HR11CT3AG
制造商:
Microchip微芯
描述:
POWER MODULE - SIC MOSFET
规格说明书:
APTMC120HR11CT3AG说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
6 1406.518848 8439.11

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 碳化硅(SiC)
漏源电压(Vdss): 1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 26A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 98 毫欧 @ 20A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 62nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 950pF @ 1000V
功率 - 最大值: 125W
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: SP3
标准包装: 1

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APTMC120HR11CT3AG

型号:APTMC120HR11CT3AG

品牌:Microchip微芯

描述:POWER MODULE - SIC MOSFET

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