库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥5.975474 | ￥14938.69 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | SuperFET® III |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 600 毫欧 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4.5V @ 600µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 11 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 465 pF @ 400 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 54W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | D-PAK（TO-252） |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装: | 2,500 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STD10NM60N | STMicroelectronics | ¥22.73000 | 类似 |
| SIHD7N60E-GE3 | Vishay Siliconix | ¥16.13000 | 类似 |
FCD600N65S3R0
型号：FCD600N65S3R0
品牌：ON安森美
描述：MOSFET N-CH 650V 6A DPAK
库存：0
单价：
| 2500+： | ￥5.975474 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00