货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | ON(安森美) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 和 P 沟道 |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 20V,8V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 630mA,775mA |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 375 毫欧 @ 630mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 3nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 46pF @ 20V |
功率 - 最大值: | 270mW |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
标准包装: | 3,000 |
NTJD4105CT2
型号:NTJD4105CT2
品牌:ON安森美
描述:MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00