SI3134KDW-TP

制造商编号:
SI3134KDW-TP
制造商:
MCC美微科
描述:
DUAL N-CHANNEL MOSFETSOT-363
规格说明书:
SI3134KDW-TP说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.548041 4.55
10 3.404762 34.05
100 2.121849 212.18

规格参数

属性 参数值
制造商: MCC(美微科)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 不适用于新设计
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 750mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 380 毫欧 @ 650mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 120pF @ 16V
功率 - 最大值: 150mW
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: SOT-363
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
PMGD290XN,115 Nexperia USA Inc. ¥3.53000 类似

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SI3134KDW-TP

型号:SI3134KDW-TP

品牌:MCC美微科

描述:DUAL N-CHANNEL MOSFETSOT-363

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1+: ¥4.548041
10+: ¥3.404762
100+: ¥2.121849
500+: ¥1.452068
1000+: ¥1.116972
3000+: ¥1.005277
6000+: ¥0.949435

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