ES3JBHR5G

制造商编号:
ES3JBHR5G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
规格说明书:
ES3JBHR5G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 7.261205 7.26
10 6.407019 64.07
100 4.910763 491.08

规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: Digi-Key 停止提供
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.45 V @ 3 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 35 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容: 34pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AA,SMB
供应商器件封装: DO-214AA(SMB)
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 850

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
CMR3U-06M TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp ¥8.06000 类似
CMR2-06 TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp ¥4.53000 类似
MURS360S-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥4.22000 类似
MURS160-13-F Diodes Incorporated ¥3.38000 类似
S2J-13-F Diodes Incorporated ¥3.84000 类似

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ES3JBHR5G

型号:ES3JBHR5G

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

库存:0

单价:

1+: ¥7.261205
10+: ¥6.407019
100+: ¥4.910763
850+: ¥3.882096
1700+: ¥3.105632
2550+: ¥2.8145
5950+: ¥2.646858

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥7.26