库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥220.758035 | ￥220.76 |
| 10 | ￥203.603439 | ￥2036.03 |
| 100 | ￥181.971514 | ￥18197.15 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ST(意法半导体) |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss）: | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 33A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 18V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 105毫欧 @ 20A，18V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 63 nC @ 18 V |
| Vgs（最大值）: | +22V，-10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1230 pF @ 800 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 290W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 200°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | HiP247™ |
| 封装/外壳: | TO-247-3 |
| 标准包装: | 30 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| MSC080SMA120B | Microchip Technology | ¥89.62000 | 类似 |
SCTW40N120G2VAG
型号：SCTW40N120G2VAG
品牌：ST意法半导体
描述：SICFET N-CH 1200V 33A HIP247
库存：0
单价：
| 1+： | ￥220.758035 |
| 10+： | ￥203.603439 |
| 100+： | ￥181.971514 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥220.76