SIHG22N60S-E3

制造商编号:
SIHG22N60S-E3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 600V 22A TO247AC
规格说明书:
SIHG22N60S-E3说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 22A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 190 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 110 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5620 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 250W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247AC
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 25

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IPW65R190CFDFKSA1 Infineon Technologies ¥43.85000 类似
IXFH28N60P3 IXYS ¥56.52000 类似
APT34F60B Microchip Technology ¥106.44000 类似
IXTH30N60L2 IXYS ¥151.83000 类似
IXFH36N60P IXYS ¥89.08000 类似

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SIHG22N60S-E3

型号:SIHG22N60S-E3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 600V 22A TO247AC

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