库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥32.936527 | ￥32.94 |
| 10 | ￥29.572003 | ￥295.72 |
| 100 | ￥24.225568 | ￥2422.56 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | IXYS(艾赛斯) |
| 系列: | Polar |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 1000 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 7.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 24.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 655 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 86W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220-3 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 标准包装: | 50 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| DMN95H8D5HCT | Diodes Incorporated | ¥10.06000 | 类似 |
| STP2N105K5 | STMicroelectronics | ¥17.28000 | 类似 |
| FQP2N90 | onsemi | ¥13.13000 | 类似 |
| DMN90H8D5HCT | Diodes Incorporated | ¥9.45000 | 类似 |
IXTP2N100P
型号：IXTP2N100P
品牌：IXYS艾赛斯
描述：MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB
库存：0
单价：
| 1+： | ￥32.936527 |
| 10+： | ￥29.572003 |
| 100+： | ￥24.225568 |
| 500+： | ￥20.622966 |
| 1000+： | ￥17.392774 |
| 2000+： | ￥16.941038 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥32.94