STP160N3LL

制造商编号:
STP160N3LL
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 30V 120A TO220
规格说明书:
STP160N3LL说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 16.039305 16.04
10 14.313526 143.14
100 11.161243 1116.12

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: STripFET™ H6
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.2 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 42 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3500 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 136W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IPP80N03S4L03AKSA1 Infineon Technologies ¥18.20000 类似
PSMN3R4-30PL,127 Nexperia USA Inc. ¥16.28000 类似

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STP160N3LL

型号:STP160N3LL

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 30V 120A TO220

库存:0

单价:

1+: ¥16.039305
10+: ¥14.313526
100+: ¥11.161243
500+: ¥9.21989
1000+: ¥7.720004

货期:1-2天

+ -

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