- 制造商编号：
- BZT52B6V2-G RHG
- 制造商：
- Taiwan Semiconductor台湾积体电路
- 描述：
- DIODE ZENER 6.2V 410MW SOD123
- 规格说明书：
- BZT52B6V2-G RHG说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 6000 | ￥0.470573 | ￥2823.44 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): | 6.2 V |
| 容差: | ±2% |
| 功率 - 最大值: | 410 mW |
| 阻抗（最大值）(Zzt): | 10 Ohms |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 3 µA @ 4 V |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 900 mV @ 10 mA |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | SOD-123 |
| 供应商器件封装: | SOD-123 |
| 标准包装: | 3,000 |
BZT52B6V2-G RHG
型号：BZT52B6V2-G RHG
品牌：Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述：DIODE ZENER 6.2V 410MW SOD123
库存：0
单价：
| 6000+： | ￥0.470573 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00