TPH3212PS

制造商编号:
TPH3212PS
制造商:
Transphorm
描述:
GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
规格说明书:
TPH3212PS说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 116.516489 116.52
10 107.110364 1071.10
100 90.462823 9046.28

规格参数

属性 参数值
制造商: Transphorm
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 72 毫欧 @ 17A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.6V @ 400uA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC @ 8 V
Vgs(最大值): ±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1130 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 104W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
TP65H070LDG Transphorm ¥99.68000 类似

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TPH3212PS

型号:TPH3212PS

品牌:Transphorm

描述:GANFET N-CH 650V 27A TO220AB

库存:0

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1+: ¥116.516489
10+: ¥107.110364
100+: ¥90.462823

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