DMN2029UVT-7

制造商编号:
DMN2029UVT-7
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET N-CH 6.8A TSOT26
规格说明书:
DMN2029UVT-7说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
3000 1.183676 3551.03

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.8A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 @ 6.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 250µA
FET 功能: -
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TSOT-23
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准包装: 3,000

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DMN2029UVT-7

型号:DMN2029UVT-7

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET N-CH 6.8A TSOT26

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