RGT30NS65DGC9

制造商编号:
RGT30NS65DGC9
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
IGBT
规格说明书:
RGT30NS65DGC9说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 23.549508 23.55
10 21.122746 211.23
100 16.977873 1697.79

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 45 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V @ 15V,15A
功率 - 最大值: 133 W
开关能量: -
输入类型: 标准
栅极电荷: 32 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 18ns/64ns
测试条件: 400V,15A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 55 ns
工作温度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商器件封装: TO-262
标准包装: 1,000

客服

购物车

RGT30NS65DGC9

型号:RGT30NS65DGC9

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:IGBT

库存:0

单价:

1+: ¥23.549508
10+: ¥21.122746
100+: ¥16.977873
500+: ¥13.948535
1000+: ¥11.557371
2000+: ¥11.279177

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥23.55