货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥20.813796 | ¥20.81 |
10 | ¥18.705063 | ¥187.05 |
100 | ¥15.034176 | ¥1503.42 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ON(安森美) |
系列: | PowerTrench® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 13.5A(Ta),22A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 8.2 毫欧 @ 13.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 63 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 4615 pF @ 30 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.5W(Ta),69W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-PQFN(5x6) |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
标准包装: | 3,000 |
FDMS86520L
型号:FDMS86520L
品牌:ON安森美
描述:MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN
库存:0
单价:
1+: | ¥20.813796 |
10+: | ¥18.705063 |
100+: | ¥15.034176 |
500+: | ¥12.352006 |
1000+: | ¥11.229093 |
3000+: | ¥11.229093 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥20.81