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货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | CoolGaN™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 31A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1,6V @ 2,6mA |
| Vgs（最大值）: | -10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 380 pF @ 400 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 125W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-DSO-20-85 |
| 封装/外壳: | 20-PowerSOIC（0.433"，11.00mm 宽） |
| 标准包装: | 800 |
IGO60R070D1AUMA1
型号：IGO60R070D1AUMA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
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