IGO60R070D1AUMA1

制造商编号:
IGO60R070D1AUMA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
规格说明书:
IGO60R070D1AUMA1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: CoolGaN™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 31A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1,6V @ 2,6mA
Vgs(最大值): -10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 380 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 125W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-DSO-20-85
封装/外壳: 20-PowerSOIC(0.433",11.00mm 宽)
标准包装: 800

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IGO60R070D1AUMA1

型号:IGO60R070D1AUMA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:GANFET N-CH 600V 31A 20DSO

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