SI6913DQ-T1-GE3

制造商编号:
SI6913DQ-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP
规格说明书:
SI6913DQ-T1-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 13.465556 13.47
10 12.079213 120.79
100 9.413953 941.40

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 21 毫欧 @ 5.8A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 900mV @ 400µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 28nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
功率 - 最大值: 830mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装: 8-TSSOP
标准包装: 3,000

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SI6913DQ-T1-GE3

型号:SI6913DQ-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP

库存:0

单价:

1+: ¥13.465556
10+: ¥12.079213
100+: ¥9.413953
500+: ¥7.777099
1000+: ¥6.139722
3000+: ¥6.139784

货期:1-2天

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