货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥13.465556 | ¥13.47 |
10 | ¥12.079213 | ¥120.79 |
100 | ¥9.413953 | ¥941.40 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | TrenchFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 个 P 沟道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 12V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.9A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 21 毫欧 @ 5.8A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 900mV @ 400µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 28nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | - |
功率 - 最大值: | 830mW |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-TSSOP |
标准包装: | 3,000 |
SI6913DQ-T1-GE3
型号:SI6913DQ-T1-GE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP
库存:0
单价:
1+: | ¥13.465556 |
10+: | ¥12.079213 |
100+: | ¥9.413953 |
500+: | ¥7.777099 |
1000+: | ¥6.139722 |
3000+: | ¥6.139784 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥13.47