FDG6308P

制造商编号:
FDG6308P
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
规格说明书:
FDG6308P说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 5.246967 5.25
10 4.487275 44.87
100 3.352463 335.25

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: PowerTrench®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 600mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 400 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 153pF @ 10V
功率 - 最大值: 300mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)
标准包装: 3,000

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FDG6308P

型号:FDG6308P

品牌:ON安森美

描述:MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88

库存:0

单价:

1+: ¥5.246967
10+: ¥4.487275
100+: ¥3.352463
500+: ¥2.634251
1000+: ¥2.035562
3000+: ¥1.904935

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