货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥27.140067 | ¥27.14 |
10 | ¥24.405542 | ¥244.06 |
100 | ¥19.99702 | ¥1999.70 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 585 毫欧 @ 2.8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 230µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 24 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 430 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 94W(Tc) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | LPTS |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装: | 1,000 |
R6509ENJTL
型号:R6509ENJTL
品牌:Rohm Semiconductor罗姆
描述:MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
库存:0
单价:
1+: | ¥27.140067 |
10+: | ¥24.405542 |
100+: | ¥19.99702 |
500+: | ¥17.023194 |
1000+: | ¥14.356993 |
2000+: | ¥13.984087 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥27.14