货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | IXYS(艾赛斯) |
系列: | HiPerFET™, Q2 Class |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 550 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 60A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 88 毫欧 @ 30A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4.5V @ 8mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 200 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 7300 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 735W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-264AA(IXFK) |
封装/外壳: | TO-264-3,TO-264AA |
标准包装: | 25 |
IXFK60N55Q2
型号:IXFK60N55Q2
品牌:IXYS艾赛斯
描述:MOSFET N-CH 550V 60A TO264AA
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00