R8008ANX

制造商编号:
R8008ANX
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220FM
规格说明书:
R8008ANX说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.03 欧姆 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 39 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1080 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 50W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220FM
封装/外壳: TO-220-3 整包
标准包装: 500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
STF10N65K3 STMicroelectronics ¥14.51000 类似
STF7N65M2 STMicroelectronics ¥13.21000 类似
STF6N60M2 STMicroelectronics ¥13.44000 类似
FCPF1300N80Z onsemi ¥13.75000 类似

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R8008ANX

型号:R8008ANX

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:MOSFET N-CH 800V 8A TO220FM

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