JAN1N3768

制造商编号:
JAN1N3768
制造商:
Microchip微芯
描述:
DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB
规格说明书:
JAN1N3768说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

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规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: Military, MIL-PRF-19500/297
包装: 散装
零件状态: Digi-Key 停止提供
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 35A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.4 V @ 110 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 底座,接线柱安装
封装/外壳: DO-203AB,DO-5,接线柱
供应商器件封装: DO-5
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
标准包装: 1

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
VS-40HF100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥81.17000 类似

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JAN1N3768

型号:JAN1N3768

品牌:Microchip微芯

描述:DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

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