库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥57.094953 | ￥57.09 |
| 10 | ￥51.30464 | ￥513.05 |
| 100 | ￥42.038398 | ￥4203.84 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | QFET® |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 65A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 32 毫欧 @ 32.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 200 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 7900 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 310W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-3PN |
| 封装/外壳: | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 标准包装: | 450 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IXTH80N20L | IXYS | ¥114.20000 | 类似 |
| IXTQ74N20P | IXYS | ¥52.61000 | 类似 |
FQA65N20
型号：FQA65N20
品牌：ON安森美
描述：MOSFET N-CH 200V 65A TO3PN
库存：0
单价：
| 1+： | ￥57.094953 |
| 10+： | ￥51.30464 |
| 100+： | ￥42.038398 |
| 500+： | ￥35.786624 |
| 1000+： | ￥34.297244 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥57.09