货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥13.484544 | ¥13.48 |
10 | ¥12.080236 | ¥120.80 |
100 | ¥9.419005 | ¥941.90 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Vishay(威世) |
系列: | TrenchFET® Gen IV |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N 沟道(双)共漏 |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 60A(Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 5 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 53nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2700pF @ 15V |
功率 - 最大值: | 69.4W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | PowerPAK® 1212-8SCD |
供应商器件封装: | PowerPAK® 1212-8SCD |
标准包装: | 3,000 |
SISF00DN-T1-GE3
型号:SISF00DN-T1-GE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
库存:0
单价:
1+: | ¥13.484544 |
10+: | ¥12.080236 |
100+: | ¥9.419005 |
500+: | ¥7.781004 |
1000+: | ¥6.142842 |
3000+: | ¥6.142899 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥13.48