IXTK32P60P

制造商编号:
IXTK32P60P
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET P-CH 600V 32A TO264
规格说明书:
IXTK32P60P说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 217.898314 217.90
10 200.281189 2002.81
100 169.145789 16914.58

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: PolarP™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 32A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 350 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 196 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 11100 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 890W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-264(IXTK)
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
标准包装: 25

客服

购物车

IXTK32P60P

型号:IXTK32P60P

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET P-CH 600V 32A TO264

库存:0

单价:

1+: ¥217.898314
10+: ¥200.281189
100+: ¥169.145789
500+: ¥150.46716
1000+: ¥141.50518

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥217.90