IRFD9123

制造商编号:
IRFD9123
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
规格说明书:
IRFD9123说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600 毫欧 @ 600mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 390 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): -
工作温度: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: 4-HVMDIP
封装/外壳: 4-DIP(0.300",7.62mm)
标准包装: 2,500

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IRFD9123

型号:IRFD9123

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP

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