2SAR586D3TL1

制造商编号:
2SAR586D3TL1
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA
规格说明书:
2SAR586D3TL1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 9.711607 9.71
10 8.648118 86.48
100 6.743868 674.39

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 5 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 320mV @ 100mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 @ 500mA,3V
功率 - 最大值: 10 W
频率 - 跃迁: 200MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: TO-252
标准包装: 2,500

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2SAR586D3TL1

型号:2SAR586D3TL1

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA

库存:0

单价:

1+: ¥9.711607
10+: ¥8.648118
100+: ¥6.743868
500+: ¥5.571043
1000+: ¥4.398218
2500+: ¥4.149273

货期:1-2天

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