货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥15.673075 | ¥15.67 |
10 | ¥14.094369 | ¥140.94 |
100 | ¥11.328613 | ¥1132.86 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | SIPMOS® |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 18.7A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 130 毫欧 @ 13.2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 28 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 860 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 81.1W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | PG-TO220-3 |
封装/外壳: | TO-220-3 |
标准包装: | 50 |
SPP18P06PHXKSA1
型号:SPP18P06PHXKSA1
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
库存:0
单价:
1+: | ¥15.673075 |
10+: | ¥14.094369 |
100+: | ¥11.328613 |
500+: | ¥9.307686 |
1000+: | ¥8.864372 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥15.67