库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Toshiba(东芝) |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 停产 |
| 二极管类型: | 碳化硅肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: | 650 V |
| 电流 - 平均整流 (Io): | 8A（DC） |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1.7 V @ 8 A |
| 速度: | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr): | 0 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 90 µA @ 650 V |
| 不同 Vr、F 时电容: | 44pF @ 650V，1MHz |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-220-2 |
| 供应商器件封装: | TO-220-2L |
| 工作温度 - 结: | 175°C（最大） |
| 标准包装: | 50 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| TRS8E65F,S1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥30.57000 | 类似 |
TRS8E65C,S1Q
型号：TRS8E65C,S1Q
品牌：Toshiba东芝
描述：DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
库存：0
单价：
货期：1-2天
+ -
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