IXTA05N100-TRL

制造商编号:
IXTA05N100-TRL
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
规格说明书:
IXTA05N100-TRL说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
800 29.114 23291.20

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 750mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 17 欧姆 @ 375mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.8 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 260 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 40W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263(D2Pak)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 800

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IXTA05N100-TRL

型号:IXTA05N100-TRL

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263

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