IPA80R1K0CEXKSA1

制造商编号:
IPA80R1K0CEXKSA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220
规格说明书:
IPA80R1K0CEXKSA1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: CoolMOS™ CE
包装: 管件
零件状态: Digi-Key 停止提供
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 950 毫欧 @ 3.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 31 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 785 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 32W(Tc)
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-FP
封装/外壳: TO-220-3 整包
标准包装: 500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
TK5A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage ¥12.83000 类似
STF7NM80 STMicroelectronics ¥33.25000 类似
IPA80R1K0CEXKSA2 Rochester Electronics, LLC ¥17.51000 直接

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IPA80R1K0CEXKSA1

型号:IPA80R1K0CEXKSA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220

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