IXTP180N10T

制造商编号:
IXTP180N10T
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
规格说明书:
IXTP180N10T说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 68.944146 68.94
10 61.922909 619.23
100 50.731452 5073.15

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: Trench
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6.4 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 151 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6900 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 480W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

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IXTP180N10T

型号:IXTP180N10T

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB

库存:0

单价:

1+: ¥68.944146
10+: ¥61.922909
100+: ¥50.731452
500+: ¥43.186364
1000+: ¥36.422266
2000+: ¥35.476196

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