SIA441DJ-T1-GE3

制造商编号:
SIA441DJ-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
规格说明书:
SIA441DJ-T1-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 6.303426 6.30
10 5.383559 53.84
100 4.017095 401.71

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 47 毫欧 @ 4.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 35 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 890 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 19W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerPAK® SC-70-6
封装/外壳: PowerPAK® SC-70-6
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
DMP4047LFDE-7 Diodes Incorporated ¥4.45000 类似

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SIA441DJ-T1-GE3

型号:SIA441DJ-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6

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1+: ¥6.303426
10+: ¥5.383559
100+: ¥4.017095
500+: ¥3.156409
1000+: ¥2.43905
3000+: ¥2.223855
6000+: ¥2.152101

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