- 制造商编号：
- TSM2N100CH C5G
- 制造商：
- Taiwan Semiconductor台湾积体电路
- 描述：
- MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251
- 规格说明书：
- TSM2N100CH C5G说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥25.031326 | ￥25.03 |
| 10 | ￥22.524773 | ￥225.25 |
| 100 | ￥18.106904 | ￥1810.69 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 1000 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.85A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 8.5 欧姆 @ 900mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 17 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 625 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 77W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-251（IPAK） |
| 封装/外壳: | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装: | 3,750 |
TSM2N100CH C5G
型号：TSM2N100CH C5G
品牌：Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述：MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251
库存：0
单价：
| 1+： | ￥25.031326 |
| 10+： | ￥22.524773 |
| 100+： | ￥18.106904 |
| 500+： | ￥14.876837 |
| 1000+： | ￥12.326617 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥25.03