IRF7807D1

制造商编号:
IRF7807D1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
规格说明书:
IRF7807D1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1+ : 需询价

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: FETKY™
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 25 毫欧 @ 7A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 17 nC @ 5 V
Vgs(最大值): ±12V
FET 功能: 肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值): 2.5W(Tc)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装: 95

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
ZXMN3B04N8TA Diodes Incorporated ¥9.68000 类似
MCQ4822-TP Micro Commercial Co ¥4.45000 类似

客服

购物车

IRF7807D1

型号:IRF7807D1

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

库存:0

单价:

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00