EFC4627R-TR

制造商编号:
EFC4627R-TR
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET 2N-CH 12V 6A 4EFCP
规格说明书:
EFC4627R-TR说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
8000 1.066202 8529.62

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N 沟道(双)共漏
FET 功能: 逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源电压(Vdss): -
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
功率 - 最大值: 1.4W
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 4-XFBGA,FCBGA
供应商器件封装: 4-EFCP(1.01x1.01)
标准包装: 8,000

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EFC4627R-TR

型号:EFC4627R-TR

品牌:ON安森美

描述:MOSFET 2N-CH 12V 6A 4EFCP

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