FF150R12KE3GHOSA1

制造商编号:
FF150R12KE3GHOSA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
IGBT MOD 1200V 225A 780W
规格说明书:
FF150R12KE3GHOSA1说明书

库存 :9

货期: 国内(1~2天)

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
10 1197.053142 11970.53

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 单斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 225 A
功率 - 最大值: 780 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.15V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 11 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
标准包装: 10

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FF150R12KE3GHOSA1

型号:FF150R12KE3GHOSA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:IGBT MOD 1200V 225A 780W

库存:9

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10+: ¥1197.053142

货期:1-2天

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