库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.352097 | ￥7.35 |
| 10 | ￥6.468706 | ￥64.69 |
| 100 | ￥4.962722 | ￥496.27 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Diodes(美台) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 和 P 沟道，共漏 |
| FET 功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）: | 35V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5.3A，5A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 35 毫欧 @ 8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 18.7nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 850pF @ 25V |
| 功率 - 最大值: | 1.54W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD |
| 供应商器件封装: | TO-252-4L |
| 标准包装: | 2,500 |
DMG4511SK4-13
型号：DMG4511SK4-13
品牌：Diodes美台
描述：MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
库存：0
单价：
| 1+： | ￥7.352097 |
| 10+： | ￥6.468706 |
| 100+： | ￥4.962722 |
| 500+： | ￥3.923056 |
| 1000+： | ￥3.138422 |
| 2500+： | ￥2.844201 |
| 5000+： | ￥2.674807 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.35