STGWT30V60DF

制造商编号:
STGWT30V60DF
制造商:
ST意法半导体
描述:
IGBT 600V 60A 258W TO3P-3
规格说明书:
STGWT30V60DF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 30.992793 30.99
10 27.84564 278.46

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.3V @ 15V,30A
功率 - 最大值: 258 W
开关能量: 383µJ(开),233µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 163 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 45ns/189ns
测试条件: 400V,30A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 53 ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装: TO-3P
标准包装: 30

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IXGR48N60C3D1 IXYS ¥88.93000 类似

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型号:STGWT30V60DF

品牌:ST意法半导体

描述:IGBT 600V 60A 258W TO3P-3

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