货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥9.735485 | ¥9.74 |
10 | ¥8.689822 | ¥86.90 |
100 | ¥6.774058 | ¥677.41 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | IXYS(艾赛斯) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 415 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | -0.35V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 14 欧姆 @ 50mA,350mV |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | - |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 300 pF @ 0 V |
FET 功能: | 耗尽模式 |
功率耗散(最大值): | 2.5W(Ta) |
工作温度: | -40°C ~ 85°C(TA) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SOT-223 |
封装/外壳: | TO-261-4,TO-261AA |
标准包装: | 1,000 |
CPC5603CTR
型号:CPC5603CTR
品牌:IXYS艾赛斯
描述:MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223
库存:0
单价:
1+: | ¥9.735485 |
10+: | ¥8.689822 |
100+: | ¥6.774058 |
500+: | ¥5.596051 |
1000+: | ¥4.417909 |
2000+: | ¥4.12337 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥9.74