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货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 20 | ￥506.154471 | ￥10123.09 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | IXYS(艾赛斯) |
| 系列: | GenX3™ |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | PT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 400 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 1000 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 1.5V @ 15V，100A |
| 功率 - 最大值: | 1000 W |
| 开关能量: | 2.7mJ（开），5mJ（关） |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 585 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 44ns/250ns |
| 测试条件: | 480V，100A，1 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr): | 66 ns |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 24-PowerSMD，21 引线 |
| 供应商器件封装: | 24-SMPD |
| 标准包装: | 20 |
MMIX1G320N60B3
型号：MMIX1G320N60B3
品牌：IXYS艾赛斯
描述：MOSFET N-CH
库存：0
单价：
| 20+： | ￥506.154471 |
货期：1-2天
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