HGT1S12N60A4DS

制造商编号:
HGT1S12N60A4DS
制造商:
ON安森美
描述:
IGBT 600V 54A 167W D2PAK
规格说明书:
HGT1S12N60A4DS说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 54 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 96 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.7V @ 15V,12A
功率 - 最大值: 167 W
开关能量: 55µJ(开),50µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 78 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 17ns/96ns
测试条件: 390V,12A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 30 ns
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: D²PAK(TO-263)
标准包装: 800

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
STGB30H60DLFB STMicroelectronics ¥25.04000 类似

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HGT1S12N60A4DS

型号:HGT1S12N60A4DS

品牌:ON安森美

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