D650N04TXPSA1

制造商编号:
D650N04TXPSA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
DIODE GEN PURP 400V 650A
规格说明书:
D650N04TXPSA1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 停产
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 650A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 950 mV @ 450 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 mA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 底座安装
封装/外壳: DO-200AA,A-PUK
供应商器件封装: -
工作温度 - 结: -40°C ~ 180°C
标准包装: 1

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D650N04TXPSA1

型号:D650N04TXPSA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:DIODE GEN PURP 400V 650A

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