APT33GF120B2RDQ2G

制造商编号:
APT33GF120B2RDQ2G
制造商:
Microchip微芯
描述:
IGBT 1200V 64A 357W TMAX
规格说明书:
APT33GF120B2RDQ2G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 159.227043 159.23
100 146.274814 14627.48

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: NPT
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 64 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 75 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 3V @ 15V,25A
功率 - 最大值: 357 W
开关能量: 1.315mJ(开),1.515mJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 170 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 14ns/185ns
测试条件: 800V,25A,4.3 欧姆,15V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3 变式
标准包装: 1

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APT33GF120B2RDQ2G

型号:APT33GF120B2RDQ2G

品牌:Microchip微芯

描述:IGBT 1200V 64A 357W TMAX

库存:0

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1+: ¥159.227043
100+: ¥146.274814

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