STGW50H65DFB2-4

制造商编号:
STGW50H65DFB2-4
制造商:
ST意法半导体
描述:
TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 5
规格说明书:
STGW50H65DFB2-4说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 50.132154 50.13
10 45.051798 450.52
100 36.909426 3690.94

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: HB2
封装/外壳: TO-247-4
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 86 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 150 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2V @ 15V,50A
功率 - 最大值: 272 W
开关能量: 629µJ(开),478µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 151 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 18ns/128ns
测试条件: 400V,50A,12 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 92 ns
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-4
标准包装: 30

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STGW50H65DFB2-4

型号:STGW50H65DFB2-4

品牌:ST意法半导体

描述:TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 5

库存:0

单价:

1+: ¥50.132154
10+: ¥45.051798
100+: ¥36.909426
500+: ¥31.420353
1000+: ¥31.248856

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