货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥50.132154 | ¥50.13 |
10 | ¥45.051798 | ¥450.52 |
100 | ¥36.909426 | ¥3690.94 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | HB2 |
封装/外壳: | TO-247-4 |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 650 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 86 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 150 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): | 2V @ 15V,50A |
功率 - 最大值: | 272 W |
开关能量: | 629µJ(开),478µJ(关) |
输入类型: | 标准 |
栅极电荷: | 151 nC |
25°C 时 Td(开/关)值: | 18ns/128ns |
测试条件: | 400V,50A,12 欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr): | 92 ns |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-247-4 |
标准包装: | 30 |
STGW50H65DFB2-4
型号:STGW50H65DFB2-4
品牌:ST意法半导体
描述:TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 5
库存:0
单价:
1+: | ¥50.132154 |
10+: | ¥45.051798 |
100+: | ¥36.909426 |
500+: | ¥31.420353 |
1000+: | ¥31.248856 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥50.13