货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥17.096159 | ¥17.10 |
3000 | ¥10.144575 | ¥30433.72 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ON(安森美) |
系列: | PowerTrench® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 最后售卖 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 18A(Ta),56A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 1.8V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 4m옴 @ 18A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 122 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 13200 pF @ 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.3W(Ta),40W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-PQFN(3.3x3.3),Power33 |
封装/外壳: | 8-PowerWDFN |
标准包装: | 3,000 |
FDMC6686P
型号:FDMC6686P
品牌:ON安森美
描述:MOSFET P-CH 20V 18A/56A 8PQFN
库存:0
单价:
1+: | ¥17.096159 |
3000+: | ¥10.144575 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥17.10