BAQ335-TR3

制造商编号:
BAQ335-TR3
制造商:
Vishay威世
描述:
DIODE GP 125V 200MA MICROMELF
规格说明书:
BAQ335-TR3说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 最后售卖
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 125 V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 nA @ 60 V
不同 Vr、F 时电容: 3pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 2-SMD,无引线
供应商器件封装: MicroMELF
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
标准包装: 10,000

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BAQ335-TR3

型号:BAQ335-TR3

品牌:Vishay威世

描述:DIODE GP 125V 200MA MICROMELF

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