1N5235B-T

制造商编号:
1N5235B-T
制造商:
Diodes美台
描述:
DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
规格说明书:
1N5235B-T说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
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规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 6.8 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 5 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 µA @ 5 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 200°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装: DO-35
标准包装: 10,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
1N5235BTR onsemi ¥1.23000 直接
1N5235B TR PBFREE Central Semiconductor Corp ¥3.38000 直接
TZX6V8B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥1.61000 类似
BZX79C6V8 onsemi ¥1.69000 类似
TZX6V8A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥1.61000 类似

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1N5235B-T

型号:1N5235B-T

品牌:Diodes美台

描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35

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