库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 50 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 100mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 1.5V，4V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 7.8 欧姆 @ 50mA，4V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 1.57 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 6.6 pF @ 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 250mW（Ta） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | SC-59-3/CP3 |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装: | 3,000 |
5LN01C-TB-H
型号：5LN01C-TB-H
品牌：ON安森美
描述：MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
库存：0
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00