货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥4.377062 | ¥4.38 |
10 | ¥3.238342 | ¥32.38 |
100 | ¥1.832211 | ¥183.22 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 和 P 沟道 |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.07A,845mA |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 450 毫欧 @ 600mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 0.74nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 60.67pF @ 10V |
功率 - 最大值: | 330mW |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装: | SOT-363 |
标准包装: | 3,000 |
DMG1016UDW-7
型号:DMG1016UDW-7
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT363
库存:0
单价:
1+: | ¥4.377062 |
10+: | ¥3.238342 |
100+: | ¥1.832211 |
500+: | ¥1.213267 |
1000+: | ¥0.930171 |
3000+: | ¥0.808845 |
6000+: | ¥0.72796 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4.38